CVD系統集加熱系統、真空系統、混氣系統、尾氣處理系統及壓力控制單元為一體，用於真空鍍膜、納米薄膜材料製備、納米管生長、石墨烯生長及複合碳材的滲透等。

PECVD是借助於輝光放電產生的等離子體中的電子動能去啟動氣相的化學反應。該系統由真空管式爐、石英反應腔室、射頻電源、多通道混氣系統、真空機組、反應控制系統組成。

特點：

1. 利用輝光放電產生等離子體電子啟動氣相。
2. 提高了氣相反應的沉積速率、成膜品質。
3. 可通過調整射頻電源頻率來控制沉積速率。
4. 能廣泛用於：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。